Número de Producto del Fabricante:
AUIRL7766M2TR
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AUIRL7766M2TR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M4
Inventario:
12798464
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ENVIAR
AUIRL7766M2TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
66 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5305 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DirectFET™ Isometric M4
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric M4
Número de producto base
AUIRL7766
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
SP001516036
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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