DMN1008UFDFQ-7
Número de Producto del Fabricante:

DMN1008UFDFQ-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN1008UFDFQ-7-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventario:

13000809
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
Qps2
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMN1008UFDFQ-7 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23.4 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
995 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
U-DFN2020-6 (Type F)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Número de producto base
DMN1008

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMN1008UFDFQ-7TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
taiwan-semiconductor

TSM650P03CX

-30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO

diodes

DMTH12H007SPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

diodes

DMT10H9M9LCT

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

diodes

DMP3045LFVW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333